EMMI/OBIRCH

设备：HAMAMATSU PHEMOS-1000

原理：对于故障分析而言，微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是一种相当有用且效率极高的分析工具。主要侦测IC内部所放出光子。在IC元件中，EHP(Electron Hole Pairs) Recombination会放出光子(Photon)。举例说明:在P-N 结加偏压，此时N阱的电子很容易扩散到P阱，而P的空穴也容易扩散至N然后与P端的空穴(或N端的电子)做 EHP Recombination。

侦测得到亮点之情况:会产生亮点的缺陷 - 漏电结(Junction Leakage); 接触毛刺（Contact spiking）; 热电子效应（Hot electrons）;闩锁效应( Latch-Up);氧化层漏电( Gate oxide defects / Leakage(F-N current));多晶硅晶须(Poly-silicon filaments); 衬底损伤(Substrate damage); 物理损伤(Mechanical damage)等。

侦测不到亮点之情况:不会出现亮点的故障 - 欧姆接触;金属互联短路;表面反型层;硅导电通路等。

亮点被遮蔽之情况: Buried Junctions及Leakage sites under metal，这种情况可以采用backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及抛光处理。

案例

Thermal EMMI

设备：HAMAMATSU THEMOS-1000

原理：利用高灵敏度的InSb detector 侦测IC在通电状态下，缺陷位置产生出的热辐射分布，从而定位出失效所在位置。 IC未开盖的故障点的定位侦测；低阻抗短路(＜10ohm)的问题分析。

案例